Piikarbidin ominaisuus

Piikarbidin ominaisuus

Piikarbidi on edistyksellinen puolijohdeyhdiste, joka koostuu piistä ja hiiliatomeista vahvassa kiderakenteessa. Poikkeuksellisista materiaaliominaisuuksistaan ​​tunnettu SiC tarjoaa ylivertaisen suorituskyvyn perinteiseen piiin verrattuna vaativissa sovelluksissa.
Lähetä kysely
Kuvaus

Sähköiset edut silikoniin verrattuna

 

Pienempi päällekytkentävastus (Rₒₙ), mikä vähentää johtavuushäviöitä.

Suurempi elektronien kyllästymisnopeus, mikä mahdollistaa nopeammat kytkentänopeudet (avain RF- ja teholaitteille).

Pienempi virrankulutus, sähköautojen energiatehokkuuden parantaminen, uusiutuvat energiajärjestelmät ja 5G-infrastruktuuri.

 

Optiset ominaisuudet

Jotkut SiC-polytyypit (esim. 6H-SiC) ovat puoliläpinäkyviä UV-näkyvissä spektreissä, hyödyllisiä optoelektronisissa sovelluksissa.

silicon carbide

Kemiallinen inertisyys ja korroosionkestävyys

 

Kestää erittäin hyvin hapettumista, happoja ja emäksiä.

Toimii luotettavasti syövyttävissä tai korkeissa lämpötiloissa (esim. teollisuusuunit, kemialliset reaktorit).

 

piikarbidin muutokset

 

Korkeat tuotantokustannuksetmonimutkaisen kiteen kasvun vuoksi (esim. PVT-menetelmä).

Vian herkkyys(mikropiput, dislokaatiot), jotka vaikuttavat kiekkojen laatuun.

Rajoitettuja kiekkoja(6–8 tuumaa vs. Si:n 12 tuumaa), vaikka edistyminen jatkuu.

silicon carbide

Johtopäätös

SiC:n vertaansa vailla oleva yhdistelmä mekaanista kestävyyttä, lämpöstabiilisuutta ja ylivoimaista sähköistä suorituskykyä tekee siitä muuntavan materiaalin seuraavan sukupolven tehoelektroniikkaan, sähköajoneuvoihin ja vaativiin ympäristösovelluksiin. Valmistustekniikoiden kehittyessä piikarbidin odotetaan syrjäyttävän piin korkean suorituskyvyn aloilla.

Suositut Tagit: piikarbidin ominaisuus, Kiinassa piikarbidin valmistajien, toimittajien, tehtaan ominaisuus