Piikarbidin yksikidetuotantoprosessi
Piikarbidi (SiC) on tärkeä puolijohdemateriaali, jolla on erinomaiset termodynaamiset ja sähköiset ominaisuudet. Sitä käytetään laajasti tehoelektroniikkalaitteissa, optoelektronisissa laitteissa, antureissa ja muilla aloilla. Piikarbidin yksikide on yksi laajimmin käytetyistä piikarbidimateriaalien muodoista. Sen valmistusprosessi on suhteellisen monimutkainen, sisältäen pääasiassa raaka-aineiden valmistuksen, kiteen kasvattamisen ja kiekkojen käsittelyn.
Piikarbidin yksikidemateriaali käyttää pääasiassa korkean puhtauden Si-asteista jauhetta raaka-aineena yksittäisten kiteiden kasvattamiseen termodynaamisilla menetelmillä. Ensin on tarpeen valita sopiva piikarbidijauhe raaka-aineeksi. Jauheen puhtaudella ja hiukkaskoolla on tärkeä vaikutus lopullisen kiteen laatuun. Yleensä valitaan erittäin puhdas piikarbidijauhe, jonka jauheen halkaisija on 1-5 um, ja esilämmitetään jauheen pinnan epäpuhtauksien poistamiseksi. Samanaikaisesti on myös tarpeen valmistaa sopiva määrä liuotinta ja juokstetta edistämään piikarbidikiteiden kasvua.
Tuotteen kuvaus
|
Tuotteen nimi |
Piikarbidi |
| Lineaarinen laajenevuus |
1.5-2 |
| Kovuus | Perinteinen hioma |
| Erittely | Asiakkaan toiveiden mukaisesti |

Logo ja toimitus
K: Voiko tuotteessa olla oma LOGO?
Kyllä, voit lähettää meille suunnittelusi ja voimme tehdä LOGOsi.
K: Voitko järjestää lähetyksen?
Toki meillä on vakituinen huolitsija, joka voi saada parhaan hinnan useimmilta laivayhtiöiltä ja tarjota ammattitaitoista palvelua.
Suositut Tagit: piikarbidin sic-jauhe, Kiina piikarbidin sic-jauheen valmistajat, toimittajat, tehdas

